차세대 레이저 식각(Core deep etching) 기술이라는 LIDE

LIDE는 레이저(Laser)로 유도(Induced)하는 깊은(Deep) 식각(Etching) 기술로, 첨단 반도체와 디스플레이 제조에 사용되는 차세대 미세가공 방식입니다.

 

2025.09.08 - [주식투자/테마분석] - LIDE(Laser Induced Deep Etching) 대장주와 관련주

LIDE(Laser Induced Deep Etching) 대장주와 관련주

 

기술 원리

• 레이저 에너지를 투명한 기판(주로 유리)에 집중적으로 조사하여 재료를 변조합니다.
• 변조된 영역은 후속 습식 화학적 에칭공정에서 이방성(한 방향으로 진행되는) 식각이 매우 빠르게 진행됩니다.
• 이 과정 덕분에 균열 없이 높은 종횡비(깊고 좁음)의 TGV(Through-Glass Via)나 캐비티를 만들 수 있습니다.
• 레이저 펄스 간격, 에칭 시간, 화학적 조성 등 공정 파라미터에 따라 기판의 거칠기와 정밀도, 생산성을 제어할 수 있습니다.

LIDE의 특징 및 장점

• 균열과 결함 없이 고속·고정밀 가공이 가능하여 기존 물리적·화학적 가공 대비 생산 효율이 높고 불량률이 낮습니다.
• 매끈한 구멍 내벽, 고종횡비 구조(깊이가 넓이에 비해 매우 큼), 치밀한 미세구조 구현에 유리합니다.
• 기존 유리 패키지, 실리콘 기판 대비 설계 자유도와 유연성, 대량 생산성이 높아 AI, 고성능 반도체, 첨단 디스플레이 등에 채택이 확대되고 있습니다.

주용도 및 산업 적용

• 반도체 유리기판의 TGV(보드·칩간 신호전달용 미세 관통홀) 생성에 주로 활용됩니다.
• 유리 내부 미세 캐비티(부품 삽입 공간), 복잡한 3D 패턴, 센서 등 마이크로시스템 기술에도 응용됩니다.
• 높은 신호 전달 효율, 내구성, 설계 자유도가 필요할 때 기존 실리콘/세라믹 대비 경쟁력이 있습니다.

핵심 기업 및 특허

• 독일의 LPKF가 대표적 기술 보유 기업으로, 특허와 대량 상용화에 적극적입니다.
• 국내외 반도체, 디스플레이 업체에서 채택 사례와 장비 공급량이 증가하는 추세입니다.

주요 공정 파라미터

• 공간적 레이저 펄스 간격(d)
• 에칭률(R), 에칭 시간(t)
• 기판 두께(D)/구멍 폭(b) 종횡비(Aspect ratio)
  • 예) $$D/(R \cdot t) > 3$$, $$12 > D/b > 1$$
• 재료 특성과 공정 조합에 따라 표면 거칠기(1~3μm 미니멈) 달성 가능

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이와 같이 LIDE는 유리 등 투명재료에 미세구조를 매우 정밀하고 신속하게, 결함 없이 제조할 수 있는 차세대 레이저 식각 기술로, 반도체 패키징, 미세전자공학, AI 및 첨단기판 공정 등에 핵심적으로 적용되고 있습니다.